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文献
J-GLOBAL ID：201702252227105732
整理番号：17A0764669
Al_xGa(1 x)N/GaNヘテロ構造におけるAl_xGa(1 x)N障壁中のAl組成ゆらぎにより誘起された2次元電子ガスの散乱挙動【Powered by NICT】
Scattering behaviour of a two-dimensional electron gas induced by Al composition fluctuation in Al_xGa_(1-x)N barriers in Al_xGa_(1-x)N/GaN heterostructures
Wang Yan
(School of Physics,Peking University)
,
Shen Bo
(School of Physics,Peking University)
,
Xu Fu-Jun
(School of Physics,Peking University)
,
Huang Sen
(School of Physics,Peking University)
,
Miao Zhen-Lin
(School of Physics,Peking University)
,
Lin Fang
(School of Physics,Peking University)
,
Yang Zhi-Jian
(School of Physics,Peking University)
,
Zhang Guo-Yi
(School of Physics,Peking University)
資料名：
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻： 18 号： 5 ページ： 2002-2005 発行年： 2009年05月
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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