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文献
J-GLOBAL ID:201702253514609279   整理番号:17A0664485

化学溶液堆積により調製した酸化セリウム膜のエピタキシャル成長挙動に及ぼす基板表面形態の役割【Powered by NICT】

Role of substrate surface morphology on the epitaxial growth behavior of cerium oxide films prepared by chemical solution deposition
著者 (10件):
Jin L. H.
(Northwest Institute for Nonferrous Metal Research, Xi’an 710016, China. csli@c-nin.com)
Li Y. N.
Feng J. Q.
Wang Y.
Li C. S.
Yu Z. M.
Lei L.
Zhao G. Y.
Sulpice A.
Zhang P. X.

資料名:
CrystEngComm  (CrystEngComm)

巻: 19  号:ページ: 795-801  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2462A  ISSN: 1466-8033  CODEN: CRECF4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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