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文献
J-GLOBAL ID：201702257022784481
整理番号：17A0085380
シリコン上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスターにおけるバッファー誘導・時間依存性・OFF状態・漏えい
Buffer-Induced Time-Dependent OFF-State Leakage in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Silicon
Tao Ming
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Wang Maojun
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Liu Shaofei
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Xie Bing
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Yu Min
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Wen Cheng P.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Wang Jinyan
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Hao Yilong
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Wu Wengang
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Shen Bo
(Department of Physics, Peking University, Beijing, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63 号： 12 ページ： 4860-4864 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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