文献
J-GLOBAL ID:201702264296745408
整理番号:17A0214330
サブ10nmノードのための垂直積層ナノワイヤMOSFET:高度地形,装置,変動性,信頼性シミュレーション【Powered by NICT】
Vertically stacked nanowire MOSFETs for sub-10nm nodes: Advanced topography, device, variability, and reliability simulations
著者 (9件):
Karner M.
(Global TCAD Solutions GmbH., Boesendorferstras&e 1/12, 1010 Vienna, Austria)
,
Baumgartner O.
(Global TCAD Solutions GmbH., Boesendorferstras&e 1/12, 1010 Vienna, Austria)
,
Stanojevic Z.
(Global TCAD Solutions GmbH., Boesendorferstras&e 1/12, 1010 Vienna, Austria)
,
Schanovsky F.
(Global TCAD Solutions GmbH., Boesendorferstras&e 1/12, 1010 Vienna, Austria)
,
Strof G.
(Global TCAD Solutions GmbH., Boesendorferstras&e 1/12, 1010 Vienna, Austria)
,
Kernstock C.
(Global TCAD Solutions GmbH., Boesendorferstras&e 1/12, 1010 Vienna, Austria)
,
Karner H. W.
(Global TCAD Solutions GmbH., Boesendorferstras&e 1/12, 1010 Vienna, Austria)
,
Rzepa G.
(TU Wien, Institute for Microelectronics, Gus&hausstras&e 27-29, 1040 Vienna, Austria)
,
Grasset T.
(TU Wien, Institute for Microelectronics, Gus&hausstras&e 27-29, 1040 Vienna, Austria)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
30.7.1-30.7.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)