文献
J-GLOBAL ID:201702265645327340
整理番号:17A0204214
IGBTのスイッチング過渡現象中の負Miller容量の理論的修正【Powered by NICT】
Theoretical modification of the negative Miller capacitance during the switching transients of IGBTs
著者 (4件):
Teng Yuan
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhu Yangjun
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Han Zhengsheng
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Ye Tianchun
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
37
号:
7
ページ:
074005-1-074005-5
発行年:
2016年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)