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J-GLOBAL ID:201702265912560966   整理番号:17A0389376

高開回路電圧を有するp ZnSe CdSコア-シェルヘテロ接合に基づいた高効率光起電素子【Powered by NICT】

Efficient photovoltaic devices based on p-ZnSe/n-CdS core-shell heterojunctions with high open-circuit voltage
著者 (8件):
Zhang Xiwei
(College of physics and electrical engineering, Anyang Normal University, Anyang, Henan 455000, P. R. China. xwezhang@outlook.com)
Mao Jie
Shao Zhibin
Diao Senlin
Hu Dan
Tang Zhenjie
Wu Haihua
Jie Jiansheng

資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)

巻:号:ページ: 2107-2113  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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