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J-GLOBAL ID:201702272355970490   整理番号:17A0323173

徐冷パターンを有する電子ビーム融解によるmc-SiにおけるSiC堆積作用と炭素移動【Powered by NICT】

SiC sedimentation and carbon migration in mc-Si by election beam melting with slow cooling pattern
著者 (12件):
Qin Shiqiang
(School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China)
Qin Shiqiang
(Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China)
Jiang Dachuan
(School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China)
Jiang Dachuan
(Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China)
Li Pengting
(School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China)
Li Pengting
(Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China)
Shi Shuang
(School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China)
Shi Shuang
(Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China)
Guo Xiaoliang
(New Energy Materials and Technology Institute Co., Ltd. of Dalian University of Technology (Qingdao), Qingdao 266000, China)
An Guangye
(New Energy Materials and Technology Institute Co., Ltd. of Dalian University of Technology (Qingdao), Qingdao 266000, China)
Tan Yi
(School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China)
Tan Yi
(Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China)

資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)

巻: 53  ページ: 1-7  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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