文献
J-GLOBAL ID:201702280549633755
整理番号:17A0704665
不斉異性化N フェニルカルバゾール部分を含む機能性ポリイミドの電気抵抗メモリ挙動を調整するための効率的な戦略【Powered by NICT】
Asymmetric isomerization: an efficient strategy to tune the electrical resistive memory behaviors of functional polyimides containing N-phenylcarbazole moieties
著者 (6件):
Jia Nanfang
(State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China. qisl@mail.buct.edu.cn)
,
Tian Guofeng
,
Qi Shengli
,
Cheng Junhao
,
Wang Xiaodong
,
Wu Dezhen
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
38
ページ:
23550-23559
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)