文献
J-GLOBAL ID:201702283378282992
整理番号:17A0702836
強誘電性AlドープHfO_2/HfO_2ゲート誘電体スタックにおける負性容量効果によるMoS_2トランジスタにおけるサブしきい値スイングの改善【Powered by NICT】
Subthreshold swing improvement in MoS2 transistors by the negative-capacitance effect in a ferroelectric Al-doped-HfO2/HfO2 gate dielectric stack
著者 (5件):
Nourbakhsh Amirhasan
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA. anour@mit.edu)
,
Zubair Ahmad
,
Joglekar Sameer
,
Dresselhaus Mildred
,
Palacios Tomas
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
9
号:
18
ページ:
6122-6127
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)