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文献
J-GLOBAL ID：201802240590217196
整理番号：18A0917660
ゲート誘電体信頼性を改善した高品質GaNベース金属-酸化物-半導体デバイスのためのSiO2/GaNスタックにおけるGa酸化物層間成長とGa拡散の制御
Control of Ga-oxide interlayer growth and Ga diffusion in SiO2/GaN stacks for high-quality GaN-based metal-oxide-semiconductor devices with improved gate dielectric reliability
YAMADA Takahiro
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WATANABE Kenta
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NOZAKI Mikito
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAMADA Hisashi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
YAMADA Hisashi
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
TAKAHASHI Tokio
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU Mitsuaki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
SHIMIZU Mitsuaki
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
YOSHIGOE Akitaka
(Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN)
,
HOSOI Takuji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIMURA Takayoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WATANABE Heiji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 11 号： 1 ページ： 015701.1-015701.4 発行年： 2018年01月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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