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文献
J-GLOBAL ID：201802251422941717
整理番号：18A0910908
高温における界面相変化メモリの抵抗スイッチング特性
Resistive switching characteristics of interfacial phase-change memory at elevated temperature
MITROFANOV Kirill V.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SAITO Yuta
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIYATA Noriyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
FONS Paul
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KOLOBOV Alexander V.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TOMINAGA Junji
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 4S ページ： 04FE06.1-04FE06.4 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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