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文献
J-GLOBAL ID:201902214928023620   整理番号:19A1375262

イオン注入による単一不純物欠陥の規則的配列形成とその応用-ダイヤモンド中浅い単一NVセンターの配列形成-

著者 (13件):
谷井孝至
(早稲田大 理工)
品田高宏
(東北大)
寺地徳之
(物質・材料研究機構)
小野田忍
(量研)
大島武
(量研)
MCGUINNESS Liam P.
(ウルム大)
JELEZKO Fedor
(ウルム大)
LIU Yan
(華東師範大)
WU E
(華東師範大)
加田渉
(群馬大)
花泉修
(群馬大)
川原田洋
(早稲田大 理工)
磯谷順一
(筑波大)

資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))

巻: 66th  ページ: ROMBUNNO.10p-W922-8  発行年: 2019年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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