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J-GLOBAL ID：200902101182580832   整理番号：02A0269634

MBE選択成長法によるGaAs/AlGaAs量子細線の形成とその結合ネットワークへの応用

Fabrication of GaAs/AlGaAs Quantum Wires and Quantum Network Structures using MBE selective growth.

著者 (3件)： 玉井功 (北大) ,  佐藤威友 (北大) ,  長谷川英機 (北大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 101  号： 617(ED2001 224-231)  ページ： 15-20  発行年： 2002年01月28日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaAs(001)面加工基板上へのMBE選択成長法を用いて,...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE ,  選択成長 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子細線 ,  応用