加工基板を用いたMBE選択成長法によるGaAs/AlGaAs量子細線の形成と評価

文献

J-GLOBAL ID：200902106055609645 整理番号：02A0472241

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=02A0472241&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0472241&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 49th 号： 3 ページ： 1392 発行年： 2002年03月27日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0472241&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

半導体薄膜 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

, , , , ,

前のページに戻る