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J-GLOBAL ID：200902114191994164   整理番号：01A0119756

AFM局所酸化プロセスおよびAr⁺イオン注入プロセスを用いた表面伝導層サイドゲートFETの作製

著者 (7件)： 坂野時習 (早稲田大 理工) ,  立木実 (早稲田大 理工) ,  梅沢仁 (早稲田大 理工) ,  福田徹 (早稲田大 理工) ,  須方健太 (早稲田大 理工) ,  瀬尾北斗 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 14th  ページ： 172-173  発行年： 2000年11月30日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： イオン注入 ,...
準シソーラス用語： ナノ酸化 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： AFM ,  局所酸化 ,  プロセス ,  イオン注入 ,  表面伝導 ,  サイドゲート ,  FET ,  作製