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J-GLOBAL ID：200902121421282920   整理番号：02A0859571

MBE選択成長法を用いたGaAs/AlGaAsヘキサゴナル細線ネットワークの形成とその評価

著者 (4件)： 玉井功 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  吉田崇一 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 63rd  号： 3  ページ： 1215  発行年： 2002年09月24日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,...
準シソーラス用語： ナノ細線

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： MBE ,  選択成長 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  細線 ,  ネットワークの形成 ,  評価