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J-GLOBAL ID：200902131087041734   整理番号：96A0948118

インプレーンショットキーゲートを用いた単電子デバイスの理論解析

Theoretical Analysis of Single Electron Devices using In-Plane Schottky Gates.
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著者 (3件)：
長谷川英機

長谷川英機 について

(北大)

北大 について

, 
葛西誠也

葛西誠也 について

(北大)

北大 について

, 
友沢秀征

友沢秀征 について

(北大)

北大 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 57th  号： 1  ページ： 65  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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単電子デバイス

単電子デバイス について

, 
理論解析

理論解析 について


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