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J-GLOBAL ID：200902139328134853   整理番号：02A0859590

GaAs上に形成したナノショットキーゲート電極のポテンシャル制御特性 (2)

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著者 (4件)：
亀田篤志

亀田篤志 について

(北大)

北大 について

, 
葛西誠也

葛西誠也 について

(北大)

北大 について

, 
佐藤威友

佐藤威友 について

(北大)

北大 について

, 
長谷川英機

長谷川英機 について

(北大)

北大 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 63rd  号： 3  ページ： 1221  発行年： 2002年09月24日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ゲート【半導体】

ゲート【半導体】 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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Schottky障壁形FET

Schottky障壁形FET について


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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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GaAs

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ポテンシャル

ポテンシャル について

, 
制御特性

制御特性 について


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