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J-GLOBAL ID：200902139547266765   整理番号：02A0440905

低消費電力不揮発性Siナノドットメモリの検討

著者 (9件)： 小倉孝之 (シャープ 基盤技研) ,  洗暢俊 (シャープ 基盤技研) ,  柴田晃秀 (シャープ 基盤技研) ,  足立浩一郎 (シャープ 基盤技研) ,  小瀧浩 (シャープ 基盤技研) ,  柿本誠三 (シャープ 基盤技研) ,  酒井朗 (名古屋大 大学院) ,  財満鎮明 (名古屋大 先端技術共同研セ) ,  安田幸夫 (名古屋大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 1  ページ： 497  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低消費電力 ,  不揮発性 ,  Si ,  ナノドット