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J-GLOBAL ID：200902154432885860   整理番号：99A0169442

高濃度p⁺-GaAsコンタクト層による低抵抗p-InGaAsオーミック接合形成

Low-Resistance Ohmic Contacts to p-InGaAs Using Heavily doped p⁺-GaAs Contact Layers.

著者 (4件)： 葛西誠也 (NEC) ,  丹羽隆樹 (NEC) ,  天宮泰 (NEC) ,  嶋脇秀徳 (NEC)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 59th  号： 3  ページ： 1179  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高濃度 ,  GaAs ,  コンタクト層 ,  低抵抗 ,  InGaAs ,  オーミック接合