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J-GLOBAL ID：200902158897696716   整理番号：02A0472242

MBE選択成長法により形成したGaAs/AlGaAs結合量子細線構造の評価

著者 (3件)： 玉井功 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 3  ページ： 1392  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子細線 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE ,  選択成長 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子細線 ,  評価