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J-GLOBAL ID：200902158947492114   整理番号：01A0768543

AFM陽極酸化法を用いた水素終端ダイヤモンド表面のナノファブリケーション

著者 (7件)： 立木実 (早稲田大 理工) ,  福田徹 (早稲田大 理工) ,  瀬尾北斗 (早稲田大 理工) ,  須方健太 (早稲田大 理工) ,  坂野時習 (早稲田大 理工) ,  梅沢仁 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集
巻： 68th  ページ： 306  発行年： 2001年03月25日 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 化学蒸着法により製造した水素終端ダイヤモンド薄膜は基板は絶縁...

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...
準シソーラス用語： 陽極酸化 ,...

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分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： AFM ,  陽極酸化法 ,  水素終端 ,  ダイヤモンド ,  ナノファブリケーション