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J-GLOBAL ID:200902208722216174   整理番号:09A1263857

量子井戸太陽電池用InGaAs/GaAsP歪み補償量子井戸成長のin situモニタリング

In situ growth monitoring of InGaAs/GaAsP strain-balanced quantum wells for solar cell applications
著者 (5件):
資料名:
巻: 39th  ページ: 213  発行年: 2009年 
JST資料番号: L6730A  ISSN: 0385-6275  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (1件):
分類
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半導体薄膜 

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