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J-GLOBAL ID：200902215561440300   整理番号：06A0266002

加工基板へのGaN/AlGaNヘテロ構造の選択的MBE成長と埋め込み細線の形成

著者 (6件)： 佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大) ,  及川武 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  及川武 (北大) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  長谷川英機 (北大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 1  ページ： 377  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  AlGaN ,  ヘテロ構造 ,  MBE成長 ,  埋め込み ,  細線