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J-GLOBAL ID：200902220556303438   整理番号：04A0697844

MBE選択成長を用いたGaAs BDD量子節点デバイスの試作と性能評価

著者 (6件)： 田村隆博 (北大) ,  湯元美樹 (北大) ,  玉井功 (北大) ,  佐藤威友 (北大) ,  葛西誠也 (北大) ,  長谷川英機 (北大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 1  ページ： 158  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MBE成長 ,...
準シソーラス用語： 量子接点 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： MBE ,  選択成長 ,  GaAs ,  BDD ,  量子 ,  節点 ,  試作 ,  性能評価