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J-GLOBAL ID：200902231966278564   整理番号：06A0276970

p,n型SiC半導体に対するNi-Al二元系オーミックコンタクト材の同時形成とその機構

著者 (5件)： 大西利武 (京大 大学院) ,  西崎ゆい (京大 工) ,  着本享 (京大 大学院) ,  伊藤和博 (京大 大学院) ,  村上正紀 (京大 大学院)
資料名： 日本金属学会講演概要  (Collected Abstracts of the Meeting of the Japan Institute Metals)
巻： 138th  ページ： 405  発行年： 2006年03月21日 
JST資料番号： S0988A  ISSN： 1342-5730  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  Ni ,  Al ,  オーミックコンタクト