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J-GLOBAL ID：200902232006106013   整理番号：09A1047293

III-V MISFET on Siを目指したSi(111)上InGaAsの選択ヘテロエピタキシャル成長

著者 (5件)： 杉山正和 (東大) ,  出浦桃子 (東大) ,  竹中充 (東大) ,  中野義昭 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集(CD-ROM)  (Proceedings of Annual Conference of Electronics, Information and Systems Society, I.E.E. of Japan)
巻： 2009  ページ： ROMBUNNO.TC1-2  発行年： 2009年09月03日 
JST資料番号： L2171B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *MISFET ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  選択成長 ,  ヘテロ接合 ,  *エピタクシー ,  MOCVD ,  X線回折 ,  転位【結晶】 ,  格子欠陥

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： MISFET ,  Si ,  InGaAs ,  テロ ,  エピタキシャル成長