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J-GLOBAL ID：200902248416946594   整理番号：07A0550513

側壁修飾率の異なる単層カーボンナノチューブにおける電子状態の変化

著者 (4件)： 手塚記庸 (京大 大学院) ,  梅山有和 (京大 大学院) ,  俣野善博 (京大 大学院) ,  今堀博 (京大 大学院)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 87th  号： 2  ページ： 1127  発行年： 2007年03月12日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 末端に長鎖アルキル基を導入して分散性を高めた単層カーボンナノ...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...
準シソーラス用語： SWCNT

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 側壁 ,  修飾 ,  単層カーボンナノチューブ ,  電子状態