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J-GLOBAL ID：200902253281923290   整理番号：09A1004271

InP-pn接合基板へのポーラス構造作製と形状制御

著者 (3件)： 岡崎拓行 (北大 量集セ) ,  吉澤直樹 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 3  ページ： 1295  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  *PN接合 ,  多孔性 ,  基板 ,  電解液 ,  細孔径 ,  *細孔構造 ,  *多孔質体 ,  *電解エッチング

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  PN接合 ,  ポーラス構造 ,  作製 ,  形状制御