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J-GLOBAL ID：200902253976503063   整理番号：04A0342683

MBE選択成長法による高密度GaAsヘキサゴナル細線ネットワークの形成(2)

著者 (4件)： 玉井功 (北大) ,  吉田崇一 (北大) ,  佐藤威友 (北大) ,  長谷川英機 (北大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 1  ページ： 335  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： MBE ,  選択成長 ,  GaAs ,  細線 ,  ネットワークの形成