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J-GLOBAL ID：200902254166135757   整理番号：03A0302455

MBE選択成長法によるGaAs(111)B加工基板上へのGaAs系量子構造の作製と評価

著者 (4件)： 吉田崇一 (北大) ,  玉井功 (北大) ,  佐藤威友 (北大) ,  長谷川英機 (北大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 50th  号： 3  ページ： 1458  発行年： 2003年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE ,  選択成長 ,  GaAs ,  量子構造 ,  作製 ,  評価