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J-GLOBAL ID：200902256531602702   整理番号：09A0995519

スパッタリング法を用いて作製したSi基板上のIn₂O₃薄膜の負の磁気抵抗

著者 (9件)： 藤元章 (大工大 ナノ材研) ,  北村稔 (甲南大) ,  小堀裕己 (甲南大) ,  山崎篤志 (甲南大) ,  杉村陽 (甲南大) ,  安藤淳 (産業技術総合研) ,  川中浩史 (産業技術総合研) ,  内藤泰久 (産業技術総合研) ,  清水哲夫 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 1  ページ： 494  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *酸化インジウム ,  化合物半導体 ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  *ケイ素 ,  *磁気抵抗効果

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタリング法 ,  作製 ,  Si基板 ,  薄膜 ,  負の磁気抵抗