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J-GLOBAL ID：200902257260239450   整理番号：04A0699812

MBE選択成長法によるInP(111)B基板上へのInGaAs量子細線ネットワークの形成

著者 (3件)： 木村健 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 3  ページ： 1238  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子細線 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE ,  選択成長 ,  InP ,  InGaAs ,  量子細線 ,  ネットワークの形成