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J-GLOBAL ID：200902262503494082   整理番号：03A0300898

Si(100)表面上のSi_1-x-yGe_xC_y初期成長におけるSiGe中間層の影響

著者 (6件)： 竹内正太郎 (名大 院工) ,  有吉聡 (名大 院工) ,  中塚理 (名大 院工) ,  酒井朗 (名大 院工) ,  財満鎮明 (名大 先端研) ,  安田幸夫 (名大 院工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 50th  号： 1  ページ： 462  発行年： 2003年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  初期成長 ,  SiGe ,  中間層