文献

J-GLOBAL ID：200902264153217199   整理番号：07A0382287

分子線エピタキシャル法による半導体ナノ構造成長のその場X線回折

著者 (3件)： 高橋正光 (日本原子力研究開発機構) ,  海津利行 (日本原子力研究開発機構) ,  水木純一郎 (日本原子力研究開発機構)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 0  ページ： 109  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0382287&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (1件)： X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線 ,  エピタキシャル ,  半導体ナノ構造 ,  成長 ,  X線回折