文献

J-GLOBAL ID：200902268599731614   整理番号：05A0429018

GaAs(001)および(111)B基板に作製したGaAs/AlGaAs量子細線の表面パッシベーション

著者 (4件)： 塩崎奈々子 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  玉井功 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 3  ページ： 1582  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0429018&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  作製 ,  AlGaAs ,  量子細線 ,  パッシベーション