GaAs(111)B加工基板へのMBE選択成長法による量子細線の形成とその形成メカニズム(2)

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J-GLOBAL ID：200902277511628290 整理番号：05A0428931

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巻： 52nd 号： 3 ページ： 1552 発行年： 2005年03月29日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜

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