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J-GLOBAL ID：200902283902689536   整理番号：03A0311274

Ge添加SiO₂薄膜中の紫外光誘起GeE′中心の熱緩和

著者 (4件)： 柳崇 (早稲田大 理工) ,  大北正毅 (早稲田大 理工) ,  大木義路 (早稲田大 理工) ,  西川宏之 (芝浦工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 50th  号： 2  ページ： 985  発行年： 2003年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： プラズマCVD ,...
準シソーラス用語： ヒドロキシル基 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  SiO2 ,  薄膜 ,  紫外光 ,  誘起 ,  熱緩和