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J-GLOBAL ID：200902298497662363   整理番号：08A0960979

強磁性半導体EuO薄膜の強磁性相転移による混成効果

著者 (13件)： 宮崎秀俊 (名古屋大 大学院) ,  宮崎秀俊 (分子科研 UVSOR) ,  伊藤孝寛 (分子科研 UVSOR) ,  伊藤孝寛 (総合研究大学院大 物理) ,  HOJUN Im (韓国成均館大) ,  HOJUN Im (総合研究大学院大 物理) ,  寺嶋健成 (分子科研 UVSOR) ,  加藤政彦 (名古屋大 大学院) ,  八木伸也 (名古屋大 大学院) ,  曽田一雄 (名古屋大 大学院) ,  曽田一雄 (分子科研 UVSOR) ,  木村真一 (分子科研 UVSOR) ,  木村真一 (総合研究大学院大 物理)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 63  号： 2 第3分冊  ページ： 361  発行年： 2008年08月25日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *強磁性半導体 ,  *酸化ユウロピウム ,  *磁性薄膜 ,  電子状態 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  X線回折 ,  角度分解分光法 ,  光電子スペクトル ,  三次元 ,  MBE成長 ,  基板 ,  チタン酸ストロンチウム ,  磁化 ,  温度依存性 ,  配位混合 ,  ARPES

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強磁性半導体 ,  薄膜 ,  強磁性 ,  相転移