半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松山隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-284877
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141185
出願日： 2007年11月01日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

【課題】レーザ発振のためのしきい値電流を低減可能な半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザ10は、基板1と、キャビティ2と、ストライプ層4と、正極電極5と、負極電極6とを備える。キャビティ2は、基板1上に設けられる。そして、キャビティ2は、活性層を含み、レーザ光を出射する。ストライプ層4は、リング形状からなる平面形状を有し、キャビティ2上に形成される。正極電極5は、リング形状からなる平面形状を有し、ストライプ層4上に形成される。負極電極6は、基板1の裏面に形成される。そして、ストライプ層4は、正極電極5からキャビティ2へ注入された注入電流の拡がりを抑制する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

曲面からなる出射面を有し、前記出射面からレーザ光を出射するキャビティと、前記キャビティに接して形成され、リング形状からなるストライプ層と、前記キャビティに電流を注入する正極電極および負極電極とを備え、前記正極電極および前記負極電極の一方の電極は、前記リング形状からなり、前記ストライプ層に接して形成される、半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/042 , H01S 5/10 , H01S 5/22

FI (3件)：

H01S5/042 612 , H01S5/10 , H01S5/22

Fターム (19件)：

5F173AA08 , 5F173AB49 , 5F173AF43 , 5F173AG12 , 5F173AG13 , 5F173AG14 , 5F173AH02 , 5F173AJ05 , 5F173AJ13 , 5F173AK08 , 5F173AK21 , 5F173AL13 , 5F173AL14 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP73 , 5F173AR05 , 5F173AR23 , 5F173AR58

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-020755 出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所

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