特許

J-GLOBAL ID：200903013014828648

半導体記憶装置

発明者： 三木 浩史 ,  中井 浩巳 ,  櫛田 惠子 ,  嶋本 泰洋 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  藤崎 芳久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1998000027
公開番号（公開出願番号）：WO1998-031053
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月16日
要約：

【要約】コンデンサの上部電極を、ショットキー障壁層、水素拡散防止層、反応防止層、吸着阻止層のそれぞれの作用を有する積層膜で構成する。それにより、還元性雰囲気による容量低下、絶縁不良、電極剥離が防止できる。また、長期信頼性の向上が図れる。

請求項（抜粋）：

第1の電極と、高強誘電体膜と、第2の電極とから構成されるコンデンサと、 前記第2の電極へ到達する水素分子の量が1013個/cm2以下となるような第4の膜とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/04