特許
J-GLOBAL ID：200903018660761324
III族窒化物の製造方法及び遷移金属窒化物の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高橋 祥泰
, 岩倉 民芳
, 高橋 祥起
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-133756
公開番号（公開出願番号）：特開2008-285383
出願日： 2007年05月21日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】III族窒化物を、低温、低圧において得ることができるIII族窒化物の製造方法、及び、遷移金属窒化物を、低温、低圧において得ることができる遷移金属窒化物の製造方法を提供すること。【解決手段】第1の発明は、III族金属とリチウムアミドとを非酸素雰囲気中において反応させることによりIII族窒化物を得る、III族窒化物の製造方法。第2の発明は、III族金属と窒化リチウムとをアンモニア雰囲気中において加熱処理することによりIII族窒化物を得る、III族窒化物の製造方法。第3の発明は、遷移金属原料物質とリチウムアミドとを非酸素雰囲気中において反応させることにより遷移金属窒化物を得る、遷移金属窒化物の製造方法。第4の発明は、遷移金属原料物質と窒化リチウムとをアンモニア雰囲気中において加熱処理することにより遷移金属窒化物を得る、遷移金属窒化物の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族金属とリチウムアミドとを、非酸素雰囲気中において反応させることによりIII族窒化物を得ることを特徴とするIII族窒化物の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077EA06
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
