特許
J-GLOBAL ID：200903073389062653
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-298749
公開番号（公開出願番号）：特開平11-134879
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 従来は、多値データを誤書き込みすることなく、高速にメモリセルに書き込むことが困難であった。【解決手段】 多値の各データの書き込み、ベリファイ動作を複数回に分け、各データの書き込みにおいて、書き込み電圧の初期値をそのデータが書き込まれるメモリセルのうち、最も速く書き込まれるメモリセルが十分に書き込むことが可能な電圧とする。
請求項（抜粋）：
半導体層上に電荷蓄積層と制御ゲートを積層して構成され、n値(nは3以上の自然数)のデータのうちの1つを記憶する電気的書き換え可能なメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、前記メモリセルの閾値電圧を前記データに応じて変動させるため、前記制御ゲートと前記半導体層との間に電圧を印加する閾値変動手段と、前記メモリセルの制御ゲートにベリファイ電圧を印加し、前記メモリセルに前記データが十分に書き込まれているか否かをベリファイするベリファイ読み出し手段とを有し、前記閾値変動手段は前記メモリセルにデータ“1”を書き込む第1書き込みサイクルで、前記制御ゲートと前記半導体層間に第1の書き込み電圧を印加し、前記メモリセルにデータ“2”を書き込む第2書き込みサイクルで、前記制御ゲートと前記半導体層間に第2の書き込み電圧を印加し、前記第1の書き込み電圧と第2の書き込み電圧の電位差は、データ“1”のベリファイ電圧とデータ“2”のベリファイ電圧の電位差に略等しいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 641
