半導体レーザ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：松山隆夫 , 鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-309414
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124397
出願日： 2006年11月15日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】レーザ光を検出するための検出器を別に設ける必要がない半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザ10は、基板1と、キャビティ2と、正極電極4と、負極電極5と、観測部6と、電流源7とを備える。キャビティ2は、基板1上に設けられる。そして、キャビティ2は、活性層を含み、レーザ光を出射する。正極電極5は、リング形状からなる平面形状を有し、キャビティ2上に形成される。負極電極5は、基板1の裏面に形成される。観測部6は、一部の正極電極4を切り欠くように形成される。そして、半導体レーザ10の操作者は、発振したレーザ光を観測部6を通して観測する。電流源7は、観測結果に応じた指示Comを受け、その受けた指示Comによって指定された発振モードで半導体レーザ10を発振させるための電流を正極電極4へ供給する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

曲面からなる出射面を有し、前記出射面からレーザ光を出射するキャビティと、前記キャビティに電流を注入する正極電極および負極電極と、前記レーザ光の発振モードを観測するための観測部と、前記観測部を用いて観測された前記レーザ光の発振モードに基づいて、前記レーザ光の発振モードを切替えるモード切替部とを備え、前記正極電極および負極電極の一方の電極は、リング形状からなる、半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/065 , H01S 5/068 , H01S 5/343

FI (3件)：

H01S5/065 , H01S5/0683 , H01S5/343

Fターム (14件)：

5F173AB62 , 5F173AB65 , 5F173AB79 , 5F173AF22 , 5F173AF24 , 5F173AH03 , 5F173AK21 , 5F173AP33 , 5F173AP73 , 5F173AP76 , 5F173AP92 , 5F173AR59 , 5F173AS06 , 5F173AS10

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-020755 出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所

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