特許
J-GLOBAL ID:200903095099727949
半導体レーザ装置およびそれを用いた光集積回路
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
鎌田 耕一
, 黒田 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-041360
公開番号(公開出願番号):特開2007-220994
出願日: 2006年02月17日
公開日(公表日): 2007年08月30日
要約:
【課題】入力されたレーザ光の状態に応じて異なるレーザ光を出力できる新規な半導体レーザ装置、およびそれを用いた光集積回路を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、活性層26を含む半導体レーザ10を備える。活性層26は、互いに対向する端面26Aおよび端面26Bと、互いに対向する2つの端面とを有する。それら4つの端面は、それぞれ、仮想の菱形の第1〜第4の頂点32A〜32Dの位置に存在する。半導体レーザ10は、対角線32ABに沿って端面26Aから出射されるレーザ光(La)と、仮想の菱形の経路32に沿って伝搬するレーザ光が端面26Aから出射されたレーザ光(Lr)とを、それぞれの強度を変化させて出射することが可能である。レーザ光(La)の強度とレーザ光(Lr)の強度とは、半導体レーザ10に入射されるレーザ光35および36と上記電流とによって制御される。【選択図】図8
請求項(抜粋):
半導体レーザ(LD1)を備える半導体レーザ装置であって、
前記半導体レーザ(LD1)は、活性層(A)と、前記活性層(A)の両側に配置された2つのクラッド層(C)と、前記活性層(A)に電流を注入するための電極(E1)および電極(E2)とを備え、
前記活性層(A)は、互いに対向する端面(S1)および端面(S2)と、互いに対向する端面(S3)および端面(S4)とを有し、
前記端面(S1)〜(S4)は、それぞれ、仮想の菱形の第1〜第4の頂点の位置に存在し、
前記半導体レーザ(LD1)は、前記第1の頂点と前記第2の頂点とを結ぶ方向に沿って前記端面(S1)から出射されるレーザ光(La)と、前記仮想の菱形の経路に沿って伝搬するレーザ光が前記端面(S1)から出射されたレーザ光(Lr)とを、それぞれの強度を変化させて出射することが可能であり、
前記レーザ光(La)の強度と前記レーザ光(Lr)の強度とが、前記半導体レーザ(LD1)に入射されるレーザ光(L)と前記電流とによって制御される半導体レーザ装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (6件):
5F173AA16
, 5F173AB49
, 5F173AB73
, 5F173AD01
, 5F173AF43
, 5F173AJ06
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (3件)
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-020755
出願人:株式会社国際電気通信基礎技術研究所
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特開昭64-045188
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特開昭64-045188
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