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J-GLOBAL ID：201002202049897230   整理番号：10A0881808

Siドープカーボンナノチューブ配向膜の電気的および結晶学的特徴

著者 (7件)： 乗松航 (名大 エコ研) ,  乗松航 (JFCC) ,  丸山雄大 ,  笹井亮 ,  高瀬浩一 ,  楠美智子 (名大 エコ研) ,  楠美智子 (JFCC)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 65  号： 2 第4分冊  ページ： 644  発行年： 2010年08月18日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  ドーピング ,  ケイ素 ,  半導体 ,  熱処理 ,  *電気抵抗 ,  *温度依存性 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  分子配向 ,  半導体薄膜

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  配向膜 ,  結晶学