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J-GLOBAL ID：201002258467842730   整理番号：10A1103987

熱力学解析によるGaAsN成長における基板拘束の寄与の検討

著者 (6件)： 川野潤 (九大 応用力学研) ,  池田和磨 (九大 応用力学研) ,  池田和磨 (豊田工大 工) ,  寒川義裕 (九大 応用力学研) ,  柿本浩一 (九大 応用力学研) ,  纐纈明伯 (東京農工大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.14P-ZV-14  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 窒化物 ,  ウエハ【IC】 ,  *格子整合 ,  太陽電池 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  拡散律速 ,  格子定数 ,  混合熱 ,  格子歪 ,  状態図 ,  *CBE成長 ,  化合物半導体 ,  *熱力学模型 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *ゲルマニウム基板 ,  タンデム太陽電池 ,  *希釈窒化物混晶 ,  窒化ヒ化ガリウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  多成分系の相平衡・状態図一般  (CB03014B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱力学解析 ,  成長 ,  拘束