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J-GLOBAL ID：201002264410047691   整理番号：10A1103905

InP多孔質構造の光吸収特性と光電変換

著者 (2件)： 佐藤威友 (北大 量集セ) ,  岡崎拓行 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.15P-NC-16  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *多孔質体 ,  *陽極酸化処理 ,  光吸収スペクトル ,  光電流 ,  電解液 ,  PN接合 ,  *光起電素子 ,  アスペクト比 ,  高アスペクト比

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  多孔質構造 ,  光吸収特性 ,  光電変換