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J-GLOBAL ID：201102209021150130   整理番号：11A0798009

InGaN成長におけるIn取り込み量の面方位依存性に関する理論検討

著者 (7件)： 屋山巴 (九大 大学院) ,  川野潤 (九大 応用力学研) ,  寒川義裕 (九大 大学院) ,  寒川義裕 (九大 応用力学研) ,  柿本浩一 (九大 大学院) ,  柿本浩一 (九大 応用力学研) ,  纐纈明伯 (東京農工大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.27A-BZ-5  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *MOCVD ,  エピタクシー ,  置換型固溶体 ,  結晶方位 ,  化学組成 ,  窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： 窒化ガリウムインジウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  成長 ,  取り込み ,  方位依存性 ,  理論