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J-GLOBAL ID：201102222261358142   整理番号：11A0797554

InP多孔質構造を利用した光電変換素子の検討

著者 (3件)： 工藤智人 (北大 量集セ) ,  岡崎拓行 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.24A-KS-6  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *リン化インジウム ,  *PN接合 ,  多孔質体 ,  電流 ,  レーザ照射 ,  整流 ,  過渡応答 ,  *光起電素子
準シソーラス用語： ドレイン電流

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (3件)： InP ,  多孔質構造 ,  光電変換素子